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环亚ag88手机版硅类多结太阳能电池变换功率到达30.2% 改写世界纪

来源:http://www.kbs0595.com 责任编辑:环亚娱乐ag88真人版 更新日期:2019-03-26 12:58

  硅类多结太阳能电池变换功率到达30.2% 改写世界纪录

  德国弗劳恩霍夫研讨组织11月9日宣告,该组织的太阳能体系研讨所(Solar Energy Systems ISE)与奥地利意唯奇集团公司(EV Group,EVG)协作,运用硅(Si)基板成功出产了变换功率高达30.2%的多结太阳能电池。

  弗劳恩霍夫ISE等试制、变换功率达30.2%的Ⅲ-V族半导体与硅多结太阳能电池(出处:Fraunhofer ISE/A.Wekkeli)

  这一是德国弗劳恩霍夫研讨组织与ISE研讨所(FraunhoferISECalLab),对4cm2面积的太阳能电池测得的变换功率效果。

  该效果高于曾经丈量的纯硅类太阳能电池的变换功率纪录26.3%和理论变换功率29.4%,改写了该类其他世界纪录。

  发布称,研讨小组在此次效果中,采用了在电子工业广为人知的晶圆直接键合(direct wafer bonding)技能,将Ⅲ-V族半导体资料嵌入硅中2~3μm。

  详细为,环亚ag88手机版,激活等离子体之后,将太阳能电池单元资料在真空中加压键合。Ⅲ-V族半导体资料外表的原子与硅原子构成键,可制成单片元件。

  发布称,此次完成的变换功率,是彻底整合的此种硅类多结太阳能电池的首项效果。

  Ⅲ-V族半导体与硅的多结太阳能电池,由各太阳能电池单元资料彼此堆叠构成。即隧道二极管将镓铟磷(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅三个资料层进行内部衔接,以掩盖太阳光谱的吸收规模。

  最上面的GaInP层吸收300~670nm波长、中心的GaAs层吸收500~890nm波长、最基层的硅吸收650~1180nm波长的太阳光,并将其变换为电力。Ⅲ-V族半导体层是在GaAs基板上外延分出构成,与硅基板接合。

  尽管从外观无法了解内部结构的复杂性,但据称作为太阳能电池单元与以往的硅类产品相同。就是说,由所以前面与后边都有接点的简略结构,因而能够制造成太阳能电池板。

  但称,外延分出和半导体与硅的衔接本钱的下降,是作为太阳能电池板实用化的课题。弗劳恩霍夫研讨组织的研讨小组打算在往后研讨处理这一课题。

  现在,弗劳恩霍夫ISE正在弗里堡建造高功率太阳能电池中心(Center for High Efficiency Solar Cells),据称将成为运用Ⅲ-V族半导体与硅的新一代太阳能电池技能的开发基地。

  

   太阳能电池光伏发电

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