• banner1
  • banner2
  • banner3
当前位置:主页 > 产业新闻 >

三种首要的薄膜太阳能电池详解环亚娱乐ag88真人版

来源:http://www.kbs0595.com 责任编辑:环亚娱乐ag88真人版 更新日期:2018-09-18 13:30

  三种首要的薄膜太阳能电池详解

  单晶硅是制作太阳能电池的抱负资料,可是因为其制取工艺相对杂乱,耗能大,依然需求其他愈加廉价的资料来代替。为了寻觅单晶硅电池的代替品,人们除开发了多晶硅,非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研发其它资料的太阳能电池。其间首要包含砷化镓III-V族化合物,硫化镉,碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。

  上述电池中,虽然硫化镉薄膜电池的功率较非晶硅薄膜太阳能电池功率高,本钱较单晶硅电池低,而且也易于大规模出产,但因为镉有剧毒,会对环境形成严峻的污染,因而,并不是晶体硅太阳能电池最抱负的代替。砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池因为具有较高的变换功率遭到人们的遍及注重。

  砷化镓太阳能电池

  GaAs归于III-V族化合物半导体资料,其能隙为1.4eV,正好为高吸收率太阳光的值,与太阳光谱的匹配较合适,且本领高温,在250℃的条件下,光电变换功能仍很杰出,其最高光电变换功率约30%,特别合适做高温聚光太阳电池。

  砷化镓出产方式和传统的硅晶圆出产方式大不相同,砷化镓需求选用磊晶技能制作,这种磊晶圆的直径一般为4—6英寸,比硅晶圆的12英寸要小得多。磊晶圆需求特别的机台,一起砷化镓原资料本钱高出硅许多,终究导致砷化镓制品IC本钱比较高。磊晶现在有两种,一种是化学的MOCVD,一种是物理的MBE。ag88环亚!GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备首要选用MOVPE和LPE技能,其间MOVPE办法制备GaAs薄膜电池受衬底位错,反响压力,III-V比率,总流量等许多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多选用液相外延法或MOCVD技能制备。用GaAs作衬底的光电池功率高达29.5%(一般在19.5%左右) ,产品耐高温和辐射,但出产本钱高,产值受限,现在首要作空间电源用。以硅片作衬底, MOCVD技能异质外延办法制作GaAs电池是降用低本钱很有期望的办法。已研讨的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,环亚娱乐ag88真人版,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。

Copyright © 2013 环亚娱乐ag88真人版_环亚ag88手机版_ag88环亚娱乐㊣ All Rights Reserved 网站地图